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Contribution a la Modelisation Des Tbh Si/Sige En Temperature
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La prise en compte de l'effet de la température et en particulier de l'auto-échauffement est un aspect fondamental pour rendre compte de maničre précise des caractéristiques électriques des transistors bipolaires ŕ hétérojonction Si/SiGe. L'utilisation de ces composants dans des applications micro-ondes susceptibles d'ętre exposées ŕ différentes températures et fonctionnant pour des fortes densités de courant accentuent énormément ces effets. Par conséquent, une modélisation précise de ces phénomčnes est indispensable. Un modčle dynamique décrivant l'auto-échauffement, caractérisé par une élévation de la température de jonction, a été développé. Une équivalence électrique de ce modčle analytique a été réalisée afin qu'il soit compatible avec des modčles électriques de type SPICE. Un banc de test spécifique pour évaluer le nouveau modčle et extraire ses paramčtres a été mis en oeuvre. Dans une deuxičme partie, la dépendance en température des différents paramčtres qui peuvent intervenir dans un modčle électrique compact et en particulier dans le modčle HICUM a été étudiée.
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