Δεν σας αρέσει; Δεν πειράζει! Μπορείτε να επιστρέψετε προϊόντα έως 30 ημέρες
Δεν θα κάνετε ποτέ λάθος με μια δωροεπιταγή. Χαρίστε στους αγαπημένους σας την επιλογή να διαλέξουν οι ίδιοι οτιδήποτε από τη συλλογή μας.
Έως 30 ημέρες για επιστροφή
To address the increasing demands of device scaling, new materials are being introduced into conventional Si CMOS processing at an unprecedented rate. Presentations collected here focus on understanding, from a chemistry and materials perspective, the mechanism of interface formation and defects at interfaces, for both conventional Si and alternative channel (Ge or III-V) systems. Several papers address reliability concerns for high-k/metal gate (basic physical models, charge trapping, etc.), while others cover characterization of the thin films and interfaces which comprise the gate stack. Topics include: advanced Si-based gate stacks; and alternate channel materials.
Γεια σας! Είμαι ο Libroamiko, ο σύμβουλος βιβλίων σας.
Πώς μπορώ να σας βοηθήσω;