Επικοινωνία
Πώς να κάνετε αγορές;
Παράδοση
Οδηγός αγορών
Design and Development of Low Voltage Process Invariant SRAM Cell
Αγγλική
155 b
Παράδοση στην Ελλάδα
Έως 30 ημέρες για επιστροφή
Οι πελάτες αγόρασαν επίσης
/
Χαρτόδετο
41.28
€
/
Σκληρόδετο
75.54
€
/
Χαρτόδετο
23.11
€
/
Χαρτόδετο
45.40
€
/
Χαρτόδετο
86.60
€
/
Χαρτόδετο
26.82
€
Low read stability and high leakage current are two major problems in Static Random-Access Memory (SRAM) at the scaled CMOS technology node. This Book provides stability, leakage and process variation analysis of a Schmitt Trigger and read buffer based differential 10T (hereafter called ST3) SRAM cell. The ST3 cell provides improve read stability, tight Read Static Noise Margin (RSNM) distribution due to simultaneously implementation of Schmitt trigger and read buffer technique. Moreover, ST3 cell consumes low leakage current because of stack transistor technique and higher process tolerance due to simultaneously implantation of Schmitt trigger and read buffer techniques. This ST3 cell may be an attractive choice for battery-operated applications such as implantable medical device and remote sensor at the nm technology node.
Πληροφορίες για το βιβλίο
Αγγλική
Χαρίστε αυτό το βιβλίο σήμερα
Είναι εύκολο
1 Προσθέστε το βιβλίο στο καλάθι σας και επιλέξτε παράδοση ως δώρο 2 Ως ανταμοιβή θα σας στείλουμε ένα κουπόνι 3 Το βιβλίο θα φτάσει στη διεύθυνση του παραλήπτηΜπορεί να σας ενδιαφέρει
/
Χαρτόδετο
16.57
€
/
Χαρτόδετο
9.03
€
/
Χαρτόδετο
12.65
€
/
Χαρτόδετο
47.21
€
/
Σκληρόδετο
253.58
€
/
Χαρτόδετο
150.30
€
/
Σκληρόδετο
131.81
€
Γεια σας! Είμαι ο Libroamiko, ο σύμβουλος βιβλίων σας.
Πώς μπορώ να σας βοηθήσω;