Δεν σας αρέσει; Δεν πειράζει! Μπορείτε αν θέλετε να κάνετε επιστροφή εντός 30 ημερών.
Δεν θα κάνετε ποτέ λάθος με μια δωροεπιταγή. Χαρίστε στους αγαπημένους σας την επιλογή να διαλέξουν οι ίδιοι οτιδήποτε από τη συλλογή μας.
30 ημέρες για την επιστροφή των προϊόντων
Materials scientists, silicon technologists and TCAD researchers come together in this book to share experimental results and physical models, discuss achievements and challenges, and identify key issues for future research in this field. The volume focuses on many aspects related to doping of semiconductors (Si, SiGe and Ge) for device fabrication, and explores areas for single-gate as well as multi-gate devices with planar and vertical architectures. Surface properties, coverage, bonding saturation and passivation, and annealing ambient are also discussed.